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cvd設(shè)備

cvd設(shè)備

設(shè)備類型

產(chǎn)品簡介:

博納熱PECVD氣相沉積爐是一種基于等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的薄膜沉積設(shè)備,能夠?qū)Ω鞣N材料進(jìn)行薄膜沉積,包括金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等。可廣泛應(yīng)用于微電子、光電、平板顯示、儲能等領(lǐng)域。

產(chǎn)品特點:

●最高溫度:1200℃(HRE電阻絲加熱)。

●智能化50段可編程自動控制。

●超溫保護(hù)功能,當(dāng)溫度超過允許設(shè)定值自動斷電。

●安全保護(hù)當(dāng)爐體漏電時自動斷電。

●爐殼結(jié)構(gòu),雙層風(fēng)冷結(jié)構(gòu);表面溫度低于50℃。

●爐膛采用日本技術(shù)真空吸附成型的優(yōu)質(zhì)氧化鋁多晶纖維無機(jī)材料,保溫性能極佳。

●304不銹鋼KF快卸密封法蘭。

●升溫速率 ≦20℃/分。

●控溫精度 ±1℃。

●薄膜沉積速率高:射頻輝光技術(shù),大大的提高了薄膜的沉積速率,沉積速率可達(dá)10?/S。

●大面積均勻性高:采用了先進(jìn)的多點射頻饋入技術(shù),特殊氣路分布和加熱技術(shù)等,使得薄膜均勻性指標(biāo)達(dá)到8%。

●一致性高:用半導(dǎo)體行業(yè)的先進(jìn)設(shè)計理念,使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%。

●工藝穩(wěn)定性高:高度穩(wěn)定的設(shè)備保證了工藝的連續(xù)和穩(wěn)定。

●標(biāo)配直連式真空泵,極限真空度可達(dá)10Pa。

●標(biāo)配三路質(zhì)量流量計。

●等離子射頻電源:大射頻功率達(dá)500W,輸出頻率13.56MHz±0.005%,輸入電源 208-240VAC, 單相50/60Hz。

可選配件:

● 真空系統(tǒng)可根據(jù)客戶需求選擇(最高真空度可達(dá)7x10-4Pa,分子泵真空系統(tǒng))。

● 可提供混氣系統(tǒng)及質(zhì)量流量計,滿足多路氣體的混合及流量的精準(zhǔn)控制。

● 高清觸控屏

技術(shù)參數(shù)(可定制):

產(chǎn)品名稱

CVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品型號

BR-CVD/PECVD

滑道

帶滑道,可滑動爐膛,實現(xiàn)快速升溫或冷卻功能

加熱區(qū)長度

400mm  單溫區(qū)/雙溫區(qū)

爐管尺寸

直徑60x1200mm 外徑x長

爐管材質(zhì)

高純石英管

工作溫度

≤1100℃

溫控系統(tǒng)

人工智能PID儀表,自動控制溫度

溫控精度

±1℃ (具有超溫及斷偶報警功能)

加熱速率

建議 0~10℃/min

加熱元件

高品質(zhì)電阻絲

cvd設(shè)備真空系統(tǒng)

真空系統(tǒng)

額定電壓

單相 220V 50Hz

可通氣體

氮氣、氬氣等惰性氣體

測溫元件

熱電偶測溫

殼體結(jié)構(gòu)

雙層殼體結(jié)構(gòu)帶風(fēng)冷系統(tǒng)

真空法蘭

帶有進(jìn)氣口,另一端帶控壓閥,氣動泄壓閥和放氣閥。

供氣系統(tǒng)

四路精密質(zhì)子流量計,通過觸屏來調(diào)節(jié)氣體流量

真空系統(tǒng)

旋片泵,真空度在空爐冷態(tài)可達(dá)1pa, 真空計:進(jìn)口數(shù)顯真空計實時顯示真空度,精度高。

氣體定量系統(tǒng)

整體可以控制壓力范圍-20kpa到20kpa(相對壓力)

額定電壓

單相 220V 50Hz

cvd設(shè)備詳細(xì)參數(shù)

型號

爐管直徑x加熱區(qū)長度(mm)

爐管長度(mm)

功率(kW)

最高溫度(℃)

氣體控制

真空度(Pa)

BR-CVD-60

Φ60×400

1200

3

1200

3路

10Pa/7x10-3

BR-CVD-80

Φ80×400

1200

4

1200

3路

10Pa/7x10-3

BR-CVD-100

Φ80×400

1200

6

1200

3路

10Pa/7x10-3

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