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PECVD管式爐

產(chǎn)品介紹

PECVD管式爐又叫做等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)的設(shè)備,是制造半導(dǎo)體器件和電池(電池片、正負(fù)極電池材料等)、晶體生長(zhǎng)(石墨烯生長(zhǎng)、磚石生長(zhǎng)等材料)的重要工具之一。

PECVD系統(tǒng)是借助微波或射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離,合成高質(zhì)量的薄膜材料,在局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng),很容易發(fā)生反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜。

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PECVD管式爐

PECVD管式爐的組成結(jié)構(gòu)

pecvd設(shè)備

PECVD管式爐結(jié)構(gòu)圖

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PECVD設(shè)備實(shí)拍

PECVD管式爐的工作原理

PECVD是通過(guò)外部增加的電場(chǎng)作用于系統(tǒng)內(nèi)參與反應(yīng)的氣體,使氣體電離產(chǎn)生輝光放電效應(yīng),從而可以在基體上高速沉積薄膜,是CVD中最大的細(xì)分市場(chǎng)。

在高溫和低壓的條件下,利用微波或射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng),氣態(tài)物質(zhì)經(jīng)過(guò)化學(xué)反應(yīng)生成固態(tài)物質(zhì),并在基材表面沉積形成薄膜。這個(gè)過(guò)程可以通過(guò)調(diào)節(jié)溫度、壓力、微波或射頻功率等參數(shù)來(lái)控制薄膜的生長(zhǎng)和性質(zhì)。

PECVD管式爐的應(yīng)用領(lǐng)域

半導(dǎo)體制造:

PECVD管式爐可用于制造半導(dǎo)體器件和集成電路,如存儲(chǔ)器、微處理器、光電傳感器等。

光伏電池制造:

PECVD管式爐可用于制造高效光伏電池,如硅基光伏電池、化合物光伏電池等。

光學(xué)器件制造:

PECVD管式爐可用于制造光學(xué)器件,如光學(xué)濾波器、光學(xué)薄膜等。

電子器件制造:

PECVD管式爐可用于制造各種電子器件,如薄膜電阻、電容、電感等。

納米材料制備:

PECVD管式爐可用于制備各種納米材料,如納米晶體、納米纖維等。

PECVD管式爐是一種重要的實(shí)驗(yàn)設(shè)備,在半導(dǎo)體制造、光伏電池制造、光學(xué)器件制造、電子器件制造等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。它具有等離子增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)、高溫、低壓環(huán)境、高質(zhì)量薄膜、多樣的化學(xué)反應(yīng)、

設(shè)備優(yōu)勢(shì)

  • 設(shè)備優(yōu)勢(shì)
    • PECVD非晶硅沉積速率快,可實(shí)現(xiàn)原位摻雜,將沉積工藝總時(shí)間控制在35分鐘以內(nèi)。雖然PECVD也會(huì)在硅片側(cè)面及電池正面邊緣區(qū)產(chǎn)生輕微的繞度區(qū),但是易于去除。

      此外,PECVD的非晶硅僅沉積在石墨舟上,可定期清理,無(wú)需石英管耗材。

      1、電源范圍廣;

      2、溫度范圍寬;

      3、濺射區(qū)域長(zhǎng);

      4、整管可調(diào);

      5、精致小巧,性價(jià)比高;

      6、可實(shí)現(xiàn)快速升降溫,是實(shí)驗(yàn)室生長(zhǎng)薄膜石墨,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復(fù)合薄膜等的好選擇;

      7、也可作為擴(kuò)展等離子清洗刻蝕使用。

設(shè)備應(yīng)用

針對(duì)材料的高溫?zé)Y(jié)工藝保證耐熱及絕緣性可靠性設(shè)計(jì),新型電極結(jié)構(gòu)避免了高溫爐電極漏水現(xiàn)象,并且加熱系統(tǒng)中的易損部件更便于維修和更換。

  • 耐熱性高

  • 安全性好

  • 維修高效

PECVD管式爐主要用于

  • 硬質(zhì)合金
  • 陶瓷(氧化鋯陶瓷、氧化鋁陶瓷等)
  • 磁性材料
  • 粉末材料

技術(shù)參數(shù)

定制產(chǎn)品

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